最初の 4 インチの単結晶窒化アルミニウム ウェーハが電力の可能性を切り開きます。

このプロセスは、その超広いバンドギャップと非常に高い熱伝導率により、パワーデバイスおよび UVC LED 用のこの半導体材料の生産需要を満たすために、AlN バルク単結晶ウェーハを成長させるための拡張性があります。

100mm 基板には、UVC LED の現在の要件に基づいて 80% 以上の使用可能な領域があります。

「4 インチのバルク窒化アルミニウム基板の達成を発表できて非常に興奮しています」と Crystal IS の親会社である旭化成先端科学技術研究所エグゼクティブフェローの久世直宏博士は述べています。 「この成果は、窒化アルミニウムが単なる UVC LED を超えた新しい産業で商業的に実行可能であることを意味します。」

Crystal IS は、ネイティブ窒化アルミニウム基板を開発するために 1997 年に設立され、直径 2 インチの基板用の商用プロセスで UVC LED を製造しています。 これらの Klaran および Optan LED は、260 nm ～ 270 nm の消毒波長で使用されます。

4 インチ AlN 基板の商業化により、ニューヨークのグリーン アイランド施設の既存の設置面積のデバイス生産量が 4 倍になります。 また、代替材料を使用するパワーおよびRFデバイスの既存の製造ラインに統合されるため、窒化アルミニウム基板上での新しいアプリケーションの開発も可能になります。

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